제품 모델 | PMF3800SN,115 | 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
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기술 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5087 pcs | 데이터 시트 | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.3V @ 1mA | Vgs (최대) | ±15V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SOT-323-3 |
연속 | TrenchMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
전력 소비 (최대) | 560mW (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 | 다른 이름들 | 568-11275-2 934058527115 PMF3800SN T/R PMF3800SN T/R-ND PMF3800SN,115-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 40pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.85nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 260mA (Ta) |
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