제품 모델 | DTA123JCAT116 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 2715257 pcs | 데이터 시트 | 1.DTA123JCAT116.pdf2.DTA123JCAT116.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 20V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | SST3 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms | 전력 - 최대 | 200mW |
포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들 | DTA123JCAMGT116 DTA123JCAT116TR |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 80 @ 10mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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